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120N12 PDFN5X6-8L 120V 中低压MOS管
120N12 PDFN5X6-8L 120V 中低压MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:120N12
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:国产MOS选型 120N12 PDFN5X6-8L 120V 中低压MOS管 MOSFET应用
咨询热线:0769-89027776

产品详情


国产MOS选型 120N12 PDFN5X6-8L 120V 中低压MOS管 MOSFET应用



中低压MOS管 120N12的产品特点:

  • VDS=120V

  • ID=120A

  • RDS(ON)<7.5mΩ@VGS=10V

  • 封装:PDFN5X6-8L



中低压MOS管 120N12的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



中低压MOS管 120N12的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压120
V
VGS栅极-源极电压±20
ID

漏极电流-连续

TA=25℃

120A

漏极电流-连续

TA=70℃

70
IDM

漏极电流-脉冲

320
PD

总耗散功率

125W
EAS单脉冲雪崩能量240mJ
IAR单脉冲雪崩电流40A
RθJA结到环境的热阻50℃/W
RθJC结到管壳的热阻1
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



中低压MOS管 120N12的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压120

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


66.8
VGS(th)
栅极开启电压2.533.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
61.4
nC
Qgs栅源电荷密度

17.4
Qgd栅漏电荷密度
14.1
Ciss输入电容
4282
pF
Coss输出电容
429
Crss反向传输电容
17
td(on)开启延迟时间
20
ns
tr开启上升时间

11


td(off)关断延迟时间
55
tf
开启下降时间
28


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