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100V N型MOSFET 40N10 PDFN3X3-8L
100V N型MOSFET 40N10 PDFN3X3-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:40N10
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:宇芯微 100V N型MOSFET 40N10 PDFN3X3-8L MOS管引脚排列
咨询热线:0769-89027776

产品详情


宇芯微 100V N型MOSFET 40N10 PDFN3X3-8L MOS管引脚排列



N型MOSFET 40N10的产品特点:

  • VDS=100V

  • ID=40A

  • RDS(ON)<25mΩ@VGS=10V(Type:14mΩ)

  • 封装:PDFN3X3-8L



N型MOSFET 40N10的产品应用:

  • 消费电子电源

  • 电极控制

  • 同步整流



N型MOSFET 40N10的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:100V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:40A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:120A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:57mJ

  • 总耗散功率 PD:71W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作温度 TJ:-55~150℃

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.76℃/W



N型MOSFET 40N10的电特性:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压100107
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=10A


1425
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=7A


1830
VGS(th)
栅极开启电压1.21.52.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
16.2
nC
Qgs栅源电荷密度

2.8
Qgd栅漏电荷密度
4.1
Ciss输入电容
1003.9
pF
Coss输出电容
185.4
Crss反向传输电容
9.8
td(on)开启延迟时间
16.6
ns
tr开启上升时间

3.8


td(off)关断延迟时间
75.5
tf
开启下降时间
46


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