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-20V 双P沟道MOS 4953B SOP-8
-20V 双P沟道MOS 4953B SOP-8
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:4953B
产品封装:SOP-8
产品标题:-20V 双P沟道MOS 4953B SOP-8 MOSFET报价 锂电池MOS
咨询热线:0769-89027776

产品详情


-20V 双P沟道MOS 4953B SOP-8 MOSFET报价 锂电池MOS



双P沟道MOS 4953B的管脚配置图:

image.png



双P沟道MOS 4953B的应用领域:

  • 锂电池保护

  • 手机快充



双P沟道MOS 4953B的极限值:

(如无特殊说明,TA=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-20
V
VGS栅极-源极电压±12
ID

漏极电流-连续

TA=25℃

-6.5A

漏极电流-连续

TA=70℃

-3.9
IDM漏极电流-脉冲-14
PD

总耗散功率

TA=25℃

1.5W
RθJA结到环境的热阻85℃/W
RθJC结到管壳的热阻25
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



双P沟道MOS 4953B的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-3.4A


4255
静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-3A


5575
静态漏源导通电阻

VGS=-1.8V,ID=-2.5A


85100
VGS(th)
栅极开启电压-0.4-0.62-1.2V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
5.41
nC
Qgs栅源电荷密度

1.17
Qgd栅漏电荷密度
1.24
Ciss输入电容
438
pF
Coss输出电容
76
Crss反向传输电容
62
td(on)开启延迟时间
6.4
ns
tr开启上升时间

21.8


td(off)关断延迟时间
37.4
tf
开启下降时间
34


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