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3416 SOT-23 20V/6.8A 手机快充MOS管
3416 SOT-23 20V/6.8A 手机快充MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:3416
产品封装:SOT-23
产品标题:宇芯微 低压MOSFET 3416 SOT-23 20V/6.8A 手机快充MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


宇芯微 低压MOSFET 3416 SOT-23 20V/6.8A 手机快充MOS管



低压MOSFET 3416的产品特点:

  • VDS=20V

  • ID=6.8A

  • RDS(ON)<22mΩ@VGS=4.5V(Type:15mΩ)

  • 封装:SOT-23



低压MOSFET 3416的应用领域:

  • 锂电池保护

  • 手机快充



低压MOSFET 3416的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压20
V
VGS栅极-源极电压±12
ID

漏极电流-连续

TA=25℃

6.8A

漏极电流-连续

TA=70℃

6
IDM漏极电流-脉冲30
PD

总耗散功率

TA=25℃

1.5W
RθJA结到环境的热阻125℃/W
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



低压MOSFET 3416的电特性:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压2022
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=4A


1522

静态漏源导通电阻

VGS=2.5V,ID=3A


2030
VGS(th)
栅极开启电压0.50.651V
IDSS

零栅压漏极电流



1μA
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
11
nC
Qgs栅源电荷密度

2.3


Qgd栅漏电荷密度
2.9
Ciss输入电容
780
pF
Coss输出电容
140
Crss反向传输电容
80
td(on)开启延迟时间
9
ns
tr开启上升时间
30
td(off)关断延迟时间
35
tf
开启下降时间
10


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