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低压PMOS管 2311 SOT-23
低压PMOS管 2311 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:2311
产品封装:SOT-23
产品标题:低压PMOS管 2311 SOT-23 电子烟用MOS管 场效应管参数
咨询热线:0769-89027776

产品详情


低压PMOS管 2311 SOT-23 电子烟用MOS管 场效应管参数



低压PMOS管 2311的应用领域:

  • 电子烟

  • 负载开关



低压PMOS管 2311的特点:

  • VDS=-12V

  • ID=-5.8A

  • RDS(ON)<26mΩ@VGS=4.5V(Type:20mΩ)

  • 封装:SOT-23



低压PMOS管 2311的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-12V

  • 栅极-源极电压 VGS:±12V

  • 漏极电流-连续 ID:-5.8A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-22A

  • 总耗散功率 PD:1.6W

  • 存储温度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作结温 TJ:-55~+150℃

  • 结到环境的热阻 RθJA:125℃/W



低压PMOS管 2311的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-12-18
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-6A


1824
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-5.2A


2026
静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-4.2A


2835
VGS(th)
栅极开启电压-0.5-0.65-1V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
11.5
nC
Qgs栅源电荷密度

1.5


Qgd栅漏电荷密度
3.2
Ciss输入电容
1100
pF
Coss输出电容
390
Crss反向传输电容
300
td(on)开启延迟时间
25
ns
tr开启上升时间

45


td(off)关断延迟时间
72
tf
开启下降时间
60


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