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NMOS 20N10 TO-252 锂电池保护MOS管
NMOS 20N10 TO-252 锂电池保护MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:20N10
产品封装:TO-252
产品标题:NMOS 20N10 TO-252 锂电池保护MOS管 场效应管参数
咨询热线:0769-89027776

产品详情


NMOS 20N10 TO-252 锂电池保护MOS管 场效应管参数



锂电池保护MOS管 20N10的引脚图:

image.png



锂电池保护MOS管 20N10的产品特点:

  • VDS=100V

  • ID=20A

  • RDS(ON) Type:65mΩ@VGS=10V



锂电池保护MOS管 20N10的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压100
V
VGS栅极-源极电压±20
ID

漏极电流-连续

TC=25℃

20A

漏极电流-连续

TC=100℃

13
IDM漏极电流-脉冲57.9
EAS单脉冲雪崩能量7mJ
PD

总耗散功率

TC=25℃

30W

总耗散功率

TA=25℃

2.7
RθJA结到环境的热阻55℃/W
RθJC结到管壳的热阻5.1
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



锂电池保护MOS管 20N10的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压100107
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=5A


6585
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=3A


75100
VGS(th)
栅极开启电压1.21.852.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
14
S
Qg栅极电荷
11.9
nC
Qgs栅源电荷密度

2.8


Qgd栅漏电荷密度
1.7
Ciss输入电容
1100
pF
Coss输出电容
55
Crss反向传输电容
40
td(on)开启延迟时间
3.8
ns
tr开启上升时间

25.8


td(off)关断延迟时间
16
tf
开启下降时间
8.8


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