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15H06 SOP-8 N+N沟道MOS管
15H06 SOP-8 N+N沟道MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:15H06
产品封装:SOP-8
产品标题:15H06 SOP-8 N+N沟道MOS管 增强型场效应管 60V/15A MOSFET应用
咨询热线:0769-89027776

产品详情


15H06 SOP-8 N+N沟道MOS管 增强型场效应管 60V/15A MOSFET应用



N+N沟道MOS管 15H06的产品特点:

  • VDS=60V

  • ID=15A

  • RDS(ON)<18mΩ@VGS=10V(Type:11mΩ)



N+N沟道MOS管 15H06的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



N+N沟道MOS管 15H06的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:60V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:15A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:45A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:64mJ

  • 总耗散功率 PD:3.6W

  • 结到环境的热阻 RθJA:85℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



N+N沟道MOS管 15H06的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压6065
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=12A


1118
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=10A


1520
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
45
S
Qg栅极电荷
19.3
nC
Qgs栅源电荷密度

7.1


Qgd栅漏电荷密度
7.6
Ciss输入电容
2423
pF
Coss输出电容
145
Crss反向传输电容
97
td(on)开启延迟时间
7.2
ns
tr开启上升时间

50


td(off)关断延迟时间
36.4
tf
开启下降时间
7.6


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