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10N10 TO-252 100V/10A 国产N沟道MOS管
10N10 TO-252 100V/10A 国产N沟道MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:10N10
产品封装:TO-252
产品标题:MOSFET选型 10N10 TO-252 100V/10A N沟道MOS管 国产芯片MOS
咨询热线:0769-89027776

产品详情


MOSFET选型 10N10 TO-252 100V/10A N沟道MOS管 国产芯片MOS



N沟道MOS管 10N10的管脚配置图:

image.png



N沟道MOS管 10N10的产品应用:

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



N沟道MOS管 10N10的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:100V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:10A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:24A

  • 总耗散功率 PD:30W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62.5℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:80℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



N沟道MOS管 10N10的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压100120
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=5A


240280
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=3A


260300
VGS(th)
栅极开启电压1.21.852.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
14
S
Qg栅极电荷
9.7
nC
Qgs栅源电荷密度

1.6


Qgd栅漏电荷密度
1.7
Ciss输入电容
508
pF
Coss输出电容
29
Crss反向传输电容
16.4
td(on)开启延迟时间
1.6
ns
tr开启上升时间

19


td(off)关断延迟时间
13.6
tf
开启下降时间
19


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