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30V/10A 4406B SOP-8 贴片低压MOS管
30V/10A 4406B SOP-8 贴片低压MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:4406B
产品封装:SOP-8
产品标题:30V/10A 4406B SOP-8 贴片低压MOS管 25mΩ 电源MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


30V/10A 4406B SOP-8 贴片低压MOS管 25mΩ 电源MOS管



电源MOS管 4406B的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



电源MOS管 4406B的引脚图:

image.png



电源MOS管 4406B的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压30V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)10A
漏极电流-连续(TC=100℃)6.2
IDM漏极电流-脉冲30
EAS单脉冲雪崩能量8mJ
IAS雪崩电流12.7A
PD总耗散功率(TC=25℃)1.5W
RθJA结到环境的热阻85℃/W
RθJC结到管壳的热阻25
TJ,TSTG工作结温和存储温度-55~+150



电源MOS管 4406B的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压3033
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=10A


15.625

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=8A


28.538
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



5
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
4.9
nC
Qgs栅源电荷密度
1.66
Qgd栅漏电荷密度
1.85
Ciss输入电容
216
pF
Coss输出电容
62
Crss反向传输电容
51
td(on)开启延迟时间
1.6
ns
tr开启上升时间
15.8
td(off)关断延迟时间
13
tf
开启下降时间
4.8


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