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大电流PMOS管 120P03 TO-252
大电流PMOS管 120P03 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:120P03
产品封装:TO-252
产品标题:大电流PMOS管 120P03 TO-252 大功率MOS 30V/120A 低内阻场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


大电流PMOS管 120P03 TO-252 大功率MOS 30V/120A 低内阻场效应管



大电流PMOS管 120P03的引脚图:

image.png



大电流PMOS管 120P03的特点:

  • VDS=-30V

  • ID=-120A

  • RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V



大电流PMOS管 120P03的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-30V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-120A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-400A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:225mJ

  • 总耗散功率 PD:103W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.46℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~175℃

  • 工作结温 TJ:-55~175℃



大电流PMOS管 120P03的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-30-33
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-30A


3.85.5

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-20A


5.88.2
VGS(th)
栅极开启电压-1-1.6-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
42
nC
Qgs栅源电荷密度
8.4
Qgd栅漏电荷密度
11.2
Ciss输入电容
9400
pF
Coss输出电容
1000
Crss反向传输电容
767
td(on)开启延迟时间
15
ns
tr开启上升时间
16
td(off)关断延迟时间
69
tf
开启下降时间
27


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